| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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BCR503E6327 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | Infineon Technologies | 150168 | 询价QQ： |
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BCR503E6327参数 产品类别：分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 说明：TRANSISTOR NPN DGTL 50V SOT-23 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载： 晶体管类型：NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：2.2k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：2.2k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：40 @ 50mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大）：- 频率 - 转换：100MHz 功率 - 最大：330mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 接线座 - 接头，1555860000 嵌入式 - 微控制EZ80F915050MOD 光学 - 光断续器HOA6981-L51 芯片电阻 - 表面RCL12185R62FKEK 接线板 - 接口模8155650000 矩形 - 配件967631-1 PMIC - 监控BU4918G-TR D-Sub，D 形8655MH3701BLF 端子 - 环形50845-2 功率，高于 2 安JS1AF-5V-F |
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