| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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BCR503E6327 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | Infineon Technologies | 150168 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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BCR503E6327参数 产品类别：分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 说明：TRANSISTOR NPN DGTL 50V SOT-23 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档晶体管类型：NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：2.2k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：2.2k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：40 @ 50mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大）：- 频率 - 转换：100MHz 功率 - 最大：330mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 芯片电阻 - 表面CRT0805-BY-2001ELF 嵌入式 - 微控制Z86C9325FSG 接口 - 模拟开关MAX4616ESD 薄膜电容器ECW-H16622RJV DC DC ConR2D12-2405 嵌入式 - 微处理KMPC8379CVRALG 芯片电阻 - 表面RG3216P-1210-C-T5 PMIC - 稳压MIC49150-1.2BRTR Card EdgeACM18DRUH 芯片电阻 - 表面RG3216V-1330-B-T1 |
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